Ғәлиев Ғәлиб Барый улы
Перейти к навигации
Перейти к поиску
| Ғәлиев Ғәлиб Барый улы | |
| Заты | ир-ат |
|---|---|
| Гражданлығы |
 СССР Рәсәй |
| Тыуған көнө | 20 ғинуар 1947 (75 йәш) |
| Тыуған урыны | Учалы районы, Башҡорт АССР-ы, РСФСР, СССР |
| Һөнәр төрө | ғалим |
| Эшмәкәрлек төрө | Электроника |
| Ғилми дәрәжә | физика-математика фәндәре докторы[d] |
Ғәлиев Ғәлиб Барый улы (20 ғинуар 1947 йыл) — ғалим-инженер, физика-математика фәндәре докторы, профессор. Фән ойошмалары федераль агентлығының Электроника институты лабораторияһы мөдире.
Биографияһы[үҙгәртергә | вики-тексты үҙгәртергә]
Ғәлиб Барый улы Ғәлиев 1947 йылдың 20 ғинуарында Башҡорт АССР-ының Учалы районы Ахун ауылында тыуған. 1966 йылда урындағы урта мәктәпте тамамлағандан һуң, Мәскәү электрон техника институтына уҡырға инә, 1973 йылда уны тамамлай.
Фәнни эшмәкәрлеге[үҙгәртергә | вики-тексты үҙгәртергә]
Молекуляр эпитаксия, квант физикаһы.
Ғилми хеҙмәттәре[үҙгәртергә | вики-тексты үҙгәртергә]
- «Полупроводниковая наногетероструктура inalas/ingaas с метаморфным буфером» (патент)
Һылтанмалар[үҙгәртергә | вики-тексты үҙгәртергә]
- Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук. НАУЧНЫЕ СОТРУДНИКИ. ГАЛИЕВ ГАЛИБ БАРИЕВИЧ (рус.) (Тикшерелеү көнө: 15 ғинуар 2022)
 |
Был мәҡәләгә түбәндәгеләр етешмәй. Ошоларҙы төҙәтеп йә өҫтәп, һеҙ уны яҡшырта алаһығыҙ?:
|
|
Был ғалим тураһында тамамланмаған мәҡәлә. Һеҙ мәҡәләне төҙәтеп һәм тулыландырып проектҡа ярҙам итә алаһығыҙ. |