Ғәлиев Ғәлиб Барый улы

Википедия — ирекле энциклопедия мәғлүмәте
Ғәлиев Ғәлиб Барый улы
Зат ир-ат
Гражданлыҡ  СССР
 Рәсәй
Тыуған көнө 20 ғинуар 1947({{padleft:1947|4|0}}-{{padleft:1|2|0}}-{{padleft:20|2|0}}) (77 йәш)
Тыуған урыны Учалы районы, Башҡорт АССР-ы, РСФСР, СССР
Һөнәр төрө ғалим
Эшмәкәрлек төрө Электроника
Ғилми дәрәжә физика-математика фәндәре докторы[d]

Ғәлиев Ғәлиб Барый улы (20 ғинуар 1947 йыл) — ғалим-инженер, физика-математика фәндәре докторы, профессор. Фән ойошмалары федераль агентлығының Электроника институты лабораторияһы мөдире.

Биографияһы[үҙгәртергә | сығанаҡты үҙгәртеү]

Ғәлиб Барый улы Ғәлиев 1947 йылдың 20 ғинуарында Башҡорт АССР-ының Учалы районы Ахун ауылында тыуған. 1966 йылда урындағы урта мәктәпте тамамлағандан һуң, Мәскәү электрон техника институтына уҡырға инә, 1973 йылда уны тамамлай.

Фәнни эшмәкәрлеге[үҙгәртергә | сығанаҡты үҙгәртеү]

Молекуляр эпитаксия, квант физикаһы.

Ғилми хеҙмәттәре[үҙгәртергә | сығанаҡты үҙгәртеү]

  • «Полупроводниковая наногетероструктура inalas/ingaas с метаморфным буфером» (патент)

Һылтанмалар[үҙгәртергә | сығанаҡты үҙгәртеү]